瓦格纳61勒夫你可能回答：英特尔、苹果、AMD、高通、英伟达这些鼎鼎有名的芯片厂商，是很多人购买电子产品时重点关注的指标，也是产品的核心卖点。

　　手机卡不卡、大型游戏能不能在电脑上运行，芯片好不好用，消费者的感受太直接了。

　　但还有一类芯片，你可能很少关注过，也很少听过存储芯片。

　　每个人手上的电脑和手机，都必带存储芯片。如果把逻辑芯片比作“大脑”，执行运算、控制和决策，存储芯片就像一个“仓库”，负责数据的存储和记忆。

　　如果没有存储芯片这个数据“仓库”，CPU、GPU这些顶级工人就会“无事可做”。

　　他们作为国内仅有的存储芯片“双子星”，被寄予突破“卡脖子”技术的厚望，正在强势撼动原有格局。

　　根据全球半导体贸易统计组织（WSTS）数据，2025年全球存储芯片销售额预计达到1848.41亿美元，是个妥妥的千亿市场。

　　存储芯片是个强周期的行业，有涨有跌。我们目前迎来的，正是存储器的超级繁荣周期。

　　摩根士丹利预测，这个超级周期将持续数年，主要由AI驱动，预计2027年全球存储市场规模突破3000亿美元。

　　OPEN AI、谷歌这些AI巨头每天都在消耗巨量存储芯片。毕竟，大模型训练需要大量的数据。

　　存储芯片有两大主要类型：DRAM和NAND。要理解这两者的区别很简单，打个比方：DRAM是你手机里的运行内存，NAND则是手机里的存储空间。

　　比如，你手机的运行内存是8G，存储空间是256G。前者说的是DRAM，后者说的是NAND。

　　当你打开一个APP，软件的程序和数据从NAND（硬盘）被加载到DRAM中，供你编辑。DRAM像个“工作台”，NAND像个“仓库”。

　　开源证券陈蓉芳指出，AI服务器对存储的需求呈指数级增长，单台AI服务器的DRAM用量约为传统服务器的8倍，NAND用量约为3倍，2025年AI对存储的需求占比达到40%，未来或将进一步提升。

　　存储芯片巨头之一SK海力士曾透露，OpenAI每月对DRAM晶圆的需求量将高达90万片。

　　这两家公司也是目前来说，唯一有希望在存储芯片领域能与国际巨头抗衡的中国企业。

　　今年9月，长存三期成立，注册资本达到207亿元。建一座晶圆工厂，动辄就是百亿投资。

　　长鑫2019年投产的12寸存储晶圆制造基地项目，当时计划分三期建设三座12寸DRAM存储晶圆工厂，总投资不低于1500亿元，媒体报道为安徽省单体投资最大的工业项目。

　　2015年，发展存储器芯片被确定为国家战略。1380亿元国家集成电路产业投资基金和近1400亿元地方基金随后建立。

　　落户武汉的一个重要原因，是中西部地区中，武汉在集成电路领域相对起步早、有基础。

　　21世纪初，武汉就敏锐意识到，过去看“钢”，未来看“硅”。超高纯度的硅片，是芯片制造的基础材料。

　　2006年武汉新芯诞生。据长江日报报道，当时，武汉新芯一期省、市拿出了107亿元的投资，占当年省内国有经济投资总额的近十分之一。

　　《芯事 一本书读懂芯片产业》一书中曾提到，武汉新芯的早期发展颇为波折，先后遭遇了全球动态存储器市场的价格暴跌和主要客户的濒临破产。直到2012年，武汉新芯仍处于亏损状态。

　　2013年，时年54岁的原中芯国际首席运营官杨士宁博士接受武汉东湖开发区的邀请，加入武汉新芯任首席执行官。杨士宁有留美经历，任职于芯片巨头英特尔十多年，又在中芯国际主管技术。杨士宁掌舵后，武汉新芯三维闪存技术水平逐步靠近海力士、美光等国际巨头。

　　长江存储一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司（“大基金”）、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和湖北科投共同出资，湖北科投也是武汉新芯的股东。二期由紫光集团和“大基金”共同出资。

　　长江存储首任CEO正是杨士宁。杨士宁判断，NAND闪存储存的需求量将随着云端运算、智能终端机的发展而持续增长10倍。

　　根据长江存储的目标，长江存储将通过跳跃式的发展，在2019年实现与世界前端差半代技术，2020年与世界领先技术“并跑”。

　　2018年，长江存储32层3DNAND成功进入市场，实现国内3D NAND零的突破；

　　2020年，长江存储跳过96层，直接128层3DNAND研发成功，达到全球闪存主流水平；次年，长江存储第三代TLC/QLC NAND量产;

　　如果把存储芯片比喻成盖楼，最开始工程师们盖的是2D的楼，相当于只建一层楼，有很多小房间（cell），每个小房间里都能存储信息。

　　于是，工程师们想出了一个巧妙的办法，能不能垂直建？3D NAND诞生了，它可以比喻为一幢储存信息的摩天大楼。堆叠层数越高，存储密度也就越大。堆叠层数越高，对工艺的要求也就越高。

　　你正在长江边，拿出你1200万像素的手机，拍下了一张长江大桥与夕阳的绝美合照。

　　这张照片包含1200万个像素，以2.88亿个比特（bit）的形式存储起来。每个TLC存储单元能存储3bits 信息，每个QLC存储单元能存储4 bits信息。

　　这也意味着，这一张简简单单的照片，如果不被手机压缩，理论上需要接近7200万~9600万个存储单位（cell）来存储。

　　一颗高端3D NAND存储芯片，其面积约指甲盖大小。在指甲盖大小内，制造厂商们垂直堆叠了超过200层的存储结构，并集成了数百亿个这样的存储单元。

　　这200多层的“摩天大楼”，高度可能仅为一根头发丝直径的几分之一到几十分之一，每一层都要求极度的平整和均匀。

　　而每个相邻“小房间”（存储单元）之间的间隔，只有20-40纳米，约为头发丝直径的1/2600。

　　他们在各自领域研发攻关，不仅获得了竞赛的入场券，更抢占了原本属于国际巨头的市场份额。

　　长期以来，全球NAND Flash市场由四大阵营主导：三星、SK海力士、铠侠/西部数据联盟以及美光。

　　作为国内唯一3D Nand芯片厂商，长江存储在2021年首次进入全球排行榜，市场份额在2%左右。2022年被列入“实体清单”，市场份额的增长受阻。调整战略后，长江存储今年市场份额首次冲刺到9%，距离两位数仅一步之遥。

　　今年2月，韩国媒体ZDNet Korea报道称，三星电子近日与中国存储芯片厂商长江存储签署了专利许可协议，将从后者获得3D NAND“混合键合”专利，该专利是一种将晶圆和晶圆直接键合的尖端封装技术。

　　三星作为存储芯片行业领头羊，从中国企业获得专利授权，被认为是一件罕见的事。

　　DRAM市场更为集中，由三星、SK海力士、美光三大巨头垄断超90%产能。今年第三季度，“三巨头”的市场份额同样约为90%。

　　市场分析机构Counterpoint今年6月预测，长鑫存储2025年DRAM出货量将同比增长50%，在整体DRAM市场的出货份额预计将从第一季度的6%增至第四季度的8%。

　　目前，长鑫科技已完成上市辅导。此前2024年3月，公司以108亿元完成新一轮融资，投前估值超1400亿元。